三星推出全球首款 HKMG 工艺 DDR5 内存，单条 512GB
互联网 2021-03-26 18:2953admin
IT之家3月25日消息 据外媒 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现，达到 7200Mb/s。三星表示，新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域，保证性能释放。
IT之家3月25日消息 据外媒 HPCwire 消息，三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量 512GB 的 DDR5 模组，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，可以提供超过 DDR4 内存一倍的性能表现，达到 7200Mb/s。三星表示，新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域，保证性能释放。